先进存储技术的全球领导者三星电子今天宣布计划扩大其在韩国平泽的 NAND 闪存产能，以增强该公司满足新兴技术需求的能力。今年 5 月开始的建设将为三星在 2021 年下半年量产尖端的 V-NAND 存储器铺平道路。

三星电子内存全球销售与营销执行副总裁 Cheol Choi 表示：“新投资重申了我们在内存技术领域保持无可争议的领先地位的承诺，即使在不确定时期也是如此。“我们将继续为市场提供最优化的解决方案，同时为整个 IT 行业和整体经济的增长做出贡献。”

在人工智能、物联网和 5G 扩张推动的第四次工业革命时代，新增容量将在帮助满足 NAND 闪存的中长期需求方面发挥重要作用。随着数字生活方式变得越来越流行，三星将继续积极进行新的投资，以抓住未来的市场机遇。

三星的 NAND 闪存生产网络从韩国的华城和平泽延伸到中国的西安。三星平泽园区成立于 2015 年，是下一代存储技术的中心，由两条世界上规模最大的生产线组成。

凭借其在制造和技术方面的显着优势，三星在过去 18 年中一直处于 NAND 闪存领域的领先地位，最近的一项创新是去年 7 月推出的业界首款第六代(1xx 层)V-NAND。通过对全球工厂的平衡投资，三星旨在维持强大的生产网络，进一步巩固其市场领导地位。