先进内存技术的全球领导者三星电子今天宣布，它已开始量产业界首款用于旗舰智能手机的 512 GB eUFS(嵌入式通用闪存)3.1。三星全新 eUFS 3.1 的写入速度是之前 512GB eUFS 3.0 移动内存的三倍，打破了智能手机存储中 1GB/s 的性能门槛。

三星电子内存销售与营销执行副总裁 Cheol Choi 表示：“随着我们推出最快的移动存储，智能手机用户将不再需要担心传统存储卡面临的瓶颈。” “新的 eUFS 3.1 反映了我们对支持今年全球智能手机制造商快速增长的需求的持续承诺。”

三星 512GB eUFS 3.1 连续写入速度超过 1,200MB/s，是基于 SATA 的 PC (540MB/s) 的两倍多，是 UHS-I microSD 卡速度 (90MB/s) 的十倍以上)。这意味着消费者在智能手机中存储 8K 视频或数百张大尺寸照片等海量文件时，可以享受超薄笔记本电脑的速度，无需任何缓冲。将内容从旧手机传输到新设备也需要更少的时间。配备新 eUFS 3.1 的手机移动 100GB 数据只需要大约 1.5 分钟，而基于 UFS 3.0 的手机需要四分钟以上。

在随机性能方面，512GB eUFS 3.1 的处理速度比广泛使用的 UFS 3.0 版本快 60%，提供每秒 100,000 次读取输入/输出操作 (IOPS) 和 70,000 次写入 IOPS。

除了 512GB 选项外，三星还将为旗舰智能手机提供 256GB 和 128GB 容量。

三星本月开始在其新的中国西安生产线 (X2) 上批量生产第五代 V-NAND，以充分满足整个旗舰和高端智能手机市场的存储需求。该公司很快计划将其韩国平泽线 (P1) 的 V-NAND 量产从第五代转变为第六代 V-NAND，以更好地满足不断增长的需求。