三星没有透露这项新技术的具体数字，只是含糊地称之为10纳米或1纳米。根据此前韩国媒体的报道，三星使用了18nm，继续领先SK Hynix、Micron等竞争对手。

三星表示，新技术克服了DRAM行业的诸多技术挑战，包括独特的单元设计技术、四重曝光技术(QPT)、超薄介质层沉积技术等。并且它仍然使用现有的氟化氩浸没光刻技术，并且不使用昂贵且不成熟的EUV极紫外光刻。

全新的1xnm DDR4内存颗粒单容量为8Gb(1GB)，频率高达3200MHz，在20nm工艺下相比DDR4-2400性能提升30%，在相同频率下功耗降低10-20%。它在个人电脑、主流服务器、大型企业网络和高性能计算系统中有着广阔的前景，单个容量高达128GB。

今年晚些时候，三星还将使用新技术生产新的移动DRAM内存颗粒，这些颗粒将用于智能手机和平板电脑。

随着新技术的到来、产能的扩大、PC需求的下降以及手机需求的缓慢增长，今年内存价格将大幅下降，下半年将至少下降20-30%甚至高达40%。三星以18nm参战，必然会进一步刺激价格走低。

性能方面，官方宣称连续读写最高可达560MB/s、480MB/s，属于主流更高水平。实际情况如何？

-120GB:读取450.87MB/s，写入170.47MB/s。

-240GB:读取465.21MB/s，写入439.25MB/s。

-360GB:读取460.16MB/s，写入427.99MB/s。

-480GB:读取475.49MB/s，写入443.92MB/s。

-1TB:读取481.26MB/s，写入432.26MB/s。

读数基本只有450-480MB/s，比标称值低15-20%。

写的比较好，基本达到430MB/s左右，只比标称值低10%左右，但是120GB的最小容量就很惨了，只有170MB/s，应该是闪存通道不足的原因。另外，120GB的容量太紧，建议考虑。

英特尔固态硬盘540s系列将于4月上市，但价格尚未公布。估计120GB版本应该在60美元左右，1TB版本应该在320美元左右。此外，2.5英寸和M.2版本的价格也将相同。