就在上周，YMTC展示了一款28层3D NAND芯片，这是对之前最大64层存储的升级，也是对非易失性闪存和超高密度SSD的新推动。现在，三星似乎感觉很热。据韩国出版物Etnews报道，这家韩国制造商有传言称，将加快V-NAND的开发，这种NAND可以堆叠160层楼高。

根据这份报告，目前还不清楚来源是谁，三星将使用其“双堆叠”方法来开发这款新的堆叠式V-NAND。顾名思义，它在三维结构中使用垂直堆栈。三星的双堆叠方法是两步互连各层，而不是像三星目前所做的那样一步一步。

堆叠这么高的NAND层看似是NAND-Jenga的游戏，但增加SSD的密度，增加材料良率，降低功耗是非常重要的。如果三星真的提供160层的产品，那将是业内最高的产品。

Etnews的报告没有分享任何其他关于即将推出的技术的详细信息，因此当三星正式宣布其第七代V-NAND时，我们将不得不坐下来进一步解释。由于上一代堆叠式V-NAND将于每年夏天发布，假设开发没有延迟，我们可以在6月或8月发布任何时间表。